与比亚迪电子达成合作，这家半导体公司完成近亿元融资

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

(资料图片仅供参考)

8月4日，芯至科技宣布完成近亿元天使轮融资，由惠友资本、群欣资本联合投资。

芯至科技于2023年正式运营，总部位于上海张江，在西安、北京、广州设有研发分支机构，致力于高性能计算基础核心技术开发，在指令集（ISA）设计、高性能CPU、GPGPU、Coherence Fabric、HSIO、Chiplet等关键领域掌握核心技术。

据悉，芯至科技由一批长期在项目开发一线的核心架构师和资深专家级工程师组成开发团队，可为客户提供通用高性能计算芯片、通用高性能IP、特定场景定制计算芯片、特定场景定制计算内核IP、BMC定制服务和自动化测试服务。

此外，芯至科技官宣，近日与比亚迪电子达成业务合作，联合开发高性能服务器系统。未来双方会加强在大算力领域的合作，探索云、边、车、端各种场景的合作机会。

来源：集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察（重点企业或园区）

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中国大陆半导体大硅片项目表（月度更新）

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中国大陆8英寸晶圆厂项目表（月度更新）

中国大陆12英寸晶圆厂项目表（月度更新）

中国大陆半导体封测项目表（月度更新）

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中国大陆半导体湿电子化学品项目表（月度更新）

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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）

中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）

中国大陆8英寸晶圆厂项目地图（月度更新）

中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）

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